Које су разлике између БЈТ и МОСФЕТ-а?

Испробајте Наш Инструмент За Елиминисање Проблема





Транзистори БЈТ & МОСФЕТ су електронски полупроводнички уређаји који дају велике променљиве електричне о / п сигнале за мале варијације у малим и / п сигналима. Због ове особине, ови транзистори се користе или као прекидач или као појачало. Први транзистор објављен је 1950. године и може се третирати као један од најважнијих изума 20. века. Убрзо развија уређај, а такође разне врсте транзистора су уведени. Прва врста транзистора је БЈТ (Биполар Јунцтион Трансистор) и МОСФЕТ (Метал Окиде Семицондуцтор) Транзистор са ефектом поља ) је друга врста транзистора представљена касније. За боље разумевање овог концепта, овај чланак даје главну разлику између БЈТ и МОСФЕТ-а.

Шта је БЈТ?

Биполарни спојни транзистор је једна врста полупроводничких уређаја и у стара времена ови уређаји се користе уместо вакуумских цеви. БЈТ је уређај којим се контролише струја, где је о / п базног терминала или емитерског терминала функција струје у базном терминалу. У основи, рад БЈТ транзистора одређује струја на основном терминалу. Овај транзистор се састоји од три терминала, наиме емитера, базе и колектора. Заправо, БЈТ је силиконски комад који укључује три регије и два споја. Два региона су названа П-спој и Н-спој.




Транзистор за биполарни спој

Транзистор за биполарни спој

Постоје две врсте транзистора, наиме ПНП и НПН . Главна разлика између БЈТ и МОСФЕТ-а је њихов носач пуњења. У ПНП транзистору П означава позитивне, а већински носачи наелектрисања су рупе, док у НПН транзистору Н значи негативне, а већински носачи наелектрисања су електрони. Принципи рада ових транзистора су практично једнаки и главна разлика је у пристрасности као и поларитету напајања за сваки тип. БЈТ су погодни за слабе струје као што је комутација.



БЈТ Симбол

БЈТ Симбол

Принцип рада БЈТ-а

Принцип рада БЈТ-а подразумевао је употребу напона између два терминала, као што су база и емитер, за регулисање протока струје кроз колекторски терминал. На пример, конфигурација заједничког емитера приказана је на доњој слици.

Биполарни транзисторски спој ради

Биполарни транзисторски спој ради

Промена напона утиче на струју која улази у стезаљку базе и она ће заузврат утицати на позвану о / п струју. Овим се показује да улазна струја контролише проток о / п струје. Дакле, овај транзистор је уређај којим се контролише струја. Слиједите доњу везу да бисте сазнали више о мајору Разлика између БЈТ и ФЕТ .

Шта је МОСФЕТ

МОСФЕТ је једна врста ФЕТ-а (транзистор са ефектом поља), који се састоји од три терминала, наиме врата, извора и одвода. Овде се одводна струја контролише напоном на прикључној кабли. Дакле, ови транзистори су уређаји управљани напоном .


МОСФЕТ

МОСФЕТ

Ови транзистори су доступни у 4 различита типа, као што су П-канал или Н-канал, са режимом побољшања или режимом исцрпљивања. Изворни и одводни терминали су направљени од полупроводника Н-типа за Н-каналне МОСФЕТ-ове и подједнако за П-каналне уређаје. Стезаљка за врата је направљена од метала и одвојена од терминала за одвод и одвод помоћу металног оксида. Ова изолација доводи до мале потрошње енергије и то је предност овог транзистора. Стога се овај транзистор користи тамо где се п и н канални МОСФЕТ-ови користе као грађевни блокови за смањење потрошње енергије попут дигитална ЦМОС логика .

МОСФЕТ-ови су класификовани у две врсте, као што су режим побољшања и режим исцрпљивања

Режим исцрпљивања: Када је напон на ‘Г’-терминалу низак, тада канал показује своју максималну проводљивост. Како је напон на ‘Г’-терминалу позитиван или негативан, проводљивост канала ће бити смањена.

Режим побољшања: Када је напон на ‘Г’-терминалу низак, уређај не проводи. Када се на терминал капије примени већи напон, проводљивост овог уређаја је добра.

Пратите доњу везу да бисте сазнали више о томе Шта је МОСФЕТ са радом?

Принцип рада МОСФЕТ-а

Рад МОСФЕТ-а зависи од МОС-а (кондензатора металног оксида) који је суштински део МОСФЕТ-а. Оксидни слој се налази између два терминала као што су извор и одвод. Применом + Ве или –Ве напона на капији, можемо поставити од п-типа до н-типа. Када се на прикључак капије примени напон + Ве, тада се рупе које постоје испод оксидног слоја одбојном силом и рупе гурају према доле кроз подлогу. Област угиба коју заузимају везани -Ве наелектрисања повезана са акцепторским атомима.

Блок дијаграм МОСФЕТ-а

Блок дијаграм МОСФЕТ-а

Разлике између БЈТ и МОСФЕТ-а

Разлика између БЈТ и МОСФЕТ-а у табеларном облику разматрана је у наставку. Дакле, сличности између БЈТ и МОСФЕТ-а се разматрају у наставку.

Разлика између БЈТ и МОСФЕТ-а

Разлика између БЈТ и МОСФЕТ-а

БЈТ

МОСФЕТ

БЈТ је ПНП или НПНМОСФЕТ је Н-типа или П-типа
БЈТ је тренутно контролисани уређајМОСФЕТ је уређај под напоном
Коефицијент температуре БЈТ је негативанКоефицијент температуре МОСФЕТ-а је позитиван
Струјни излаз БЈТ-а може се контролисати преко и / п основне струје.Струјни излаз МОСФЕТ-а може се контролисати преко напона и / п капије.
БЈТ није скупМОСФЕТ је скуп
У БЈТ-у електростатичко пражњење није проблем.У МОСФЕТ-у је електростатичко пражњење проблем, па може довести до проблема.
Има ниско струјно појачање и није стабилно. Једном када се струја колектора повећа, тада се појачање може смањити. Ако се температура повећа, онда се и појачање може повећати.Има велико струјно појачање које је готово стабилно за промену одводних струја.
Улазни отпор БЈТ је низак.Улазни отпор МОСФЕТ-а је висок.
Улазна струја је Миллиампс / МицроампсУлазна струја је Пицоампс
Када је БЈТ засићен, може доћи до мањег одвођења топлоте.Када је МОСФЕТ засићен, може доћи до мањег одвођења топлоте.
Брзина пребацивања БЈТ-а је споријаБрзина пребацивања МОСФЕТ-а је већа
Фреквенцијски одзив је инфериоранФреквенцијски одзив је бољи
Једном када је засићен, тада потенцијални пад преко Вце износи око 200 мВ.Једном када је засићен, тада потенцијални пад између извора и одвода износи око 20 мВ.
Основна струја БЈТ почиње да се напаја користећи + 0,7 В улазног напона. Транзисторима се може управљати кроз велике струје базеН-канални МОСФЕТ-ови користе + 2в до + 4в да их укључе и тренутна капија струје је око нуле.
Улазна импеданса је малаУлазна импеданса је велика
Учесталост пребацивања БЈТ је малаУчесталост пребацивања МОСФЕТ-а је велика
Користи се за слабу струјуКористи се за јаку струју

Кључне разлике између БЈТ и МОСФЕТ-а

Кључне разлике између БЈТ и МОСФЕТ транзистора су разматране у наставку.

  • БЈТ је биполарни спојни транзистор, док је МОСФЕТ полупроводник металног оксида транзистор са ефектом поља .
  • БЈТ има три терминала, наиме базу, емитер и колектор, док МОСФЕТ има три терминала, наиме извор, одвод и улаз.
  • БЈТ се користе за слабе струје, док се МОСФЕТ користи за велике енергетске апликације .
  • У данашње време, у аналогних и дигиталних кола , МОСФЕТ-ови се третирају да се чешће користе од БЈТС-а.
  • Рад БЈТ-а зависи од струје на основном прикључку, а рад МОСФЕТ-а зависи од напона на оксидно изолованој капијској електроди.
  • БЈТ је уређај којим се контролише струја, а МОСФЕТ је уређај под напоном.
    МОСФЕТ-ови се у већини апликација користе више од БЈТ-ова
  • Структура МОСФЕТ-а је сложенија од БЈТ-а

Шта је боље појачало БЈТ или МОСФЕТ?

И БЈТ и МОСФЕТ садрже јединствене карактеристике и своје предности и недостатке. Али, не можемо рећи шта је добро у БЈТ & МОСФЕТ-у, јер је ствар крајње субјективна. Пре него што одаберете БЈТ или МОСФЕТ, постоји неколико фактора које треба узети у обзир попут нивоа снаге, ефикасности, погонског напона, цене, брзине пребацивања итд.

МОСФЕТ се обично користи у изворима напајања ефикасније, јер је рад МОСФЕТ-а бржи због употребе металног оксида, осим БЈТ-а. Овде БЈТ зависи од комбинације електронске рупе.
МОСФЕТ ради са малом снагом након пребацивања на високој фреквенцији, јер има брзу брзину пребацивања, па води кроз мрежно-оксидно контролисани ефекат поља, али не кроз рекомбинацију електрона или рупе попут БЈТ-а. У МОСФЕТ-у је склоп попут управљања вратима врло једноставнији
Бројни су разлози који се истичу

Мање губитака проводљивости

Биполарни транзистор са спојем укључује стабилан пад напона засићења попут 0,7 В, док МОСФЕТ укључује отпор на 0,001 ома што доводи до мањег губитка снаге.

Висока улазна импеданса

Биполарни спојни транзистор користи малу базну струју за рад веће колекторске струје. И они се понашају као струјно појачало. МОСФЕТ је уређај под напоном и не укључује готово струју капија. Капија ради као кондензатор вредности и то је значајна предност у применама прекидача и велике струје, јер је појачање снаге БЈТс средње до мало, а које требају велике основне струје да би произвеле велике струје.

Површина коју заузима МОСФЕТ је мања у поређењу са БЈТ попут 1/5. БЈТ операција није тако једноставна у поређењу са МОСФЕТ-ом. Тако се ФЕТ може дизајнирати врло лако и може се користити као пасивни елементи уместо појачала.

Зашто је МОСФЕТ бољи од БЈТ?

Много је благодати употребе МОСФЕТ-а уместо БЈТ-а, као што су следеће.

МОСФЕТ врло брзо реагује у поређењу са БЈТ-ом, јер је већина носача пуњења у МОСФЕТ-у тренутна. Дакле, овај уређај се активира врло брзо у поређењу са БЈТ. Стога се ово углавном користи за пребацивање снаге СМПС-а.

МОСФЕТ не трпи велике промене, док ће се у БЈТ колекторска струја променити због промена температуре, основног напона предајника и појачања струје. Међутим, ова огромна промена није пронађена у МОСФЕТ-у јер је већински носилац пуњења.

Улазна импеданса МОСФЕТ-а је врло висока попут опсега мегома, док се улазна импеданса БЈТ-а креће унутар килоома. Стога је израда МОСФЕТ-а изузетно савршена за кругове засноване на појачалима.

У поређењу са БЈТ, МОСФЕТ-ови имају мање буке. Овде се шум може дефинисати као случајни упад у сигнал. Једном када се транзистор користи за повећање сигнала, тада ће унутрашњи процес транзистора покренути неке од ових случајних сметњи. Генерално, БЈТ уносе огроман шум у сигнал у поређењу са МОСФЕТ-овима. Дакле, МОСФЕТ-ови су погодни за обраду сигнала, иначе појачала напона.

Величина МОСФЕТ-а је врло мала у поређењу са БЈТ-овима. Тако да се њихов распоред може обавити на мање простора. Из тог разлога, МОСФЕТ-ови се користе у процесорима рачунара и чипова. Дакле, дизајн МОСФЕТ-ова је врло једноставан у поређењу са БЈТ-овима.

Температурни коефицијент БЈТ и ФЕТ

Коефицијент температуре МОСФЕТ-а је позитиван на отпор, што ће учинити паралелни рад МОСФЕТ-а врло једноставним. Првенствено, ако МОСФЕТ преноси појачану струју, врло лако се загрева, повећава његов отпор и доводи до тога да се тај ток струје паралелно помера на друге уређаје.

Коефицијент температуре БЈТ је негативан, па су отпорници неопходни током паралелног процеса транзистора биполарног споја.

Секундарни распад МОСФЕТ-а се не дешава, јер је температурни коефицијент позитиван. Међутим, транзистори са биполарним спојем имају негативни температурни коефицијент, што резултира секундарним пробојем.

Предности БЈТ-а у односу на МОСФЕТ-ове

Тхе предности БЈТ-а у односу на МОСФЕТ-ове укључи следеће.

  • БЈТ раде боље у условима великог оптерећења и са вишим фреквенцијама у поређењу са МОСФЕТ-овима
  • БЈТ имају већу верност и бољи добитак у линеарним подручјима како је процењено МОСФЕТ-овима.
  • У поређењу са МОСФЕТ-овима, БЈТС су веома бржи због малог капацитета на контролном пину. Али МОСФЕТ је толерантнији на топлоту и може симулирати добар отпорник.
  • БЈТ-ови су веома добар избор за примене напона и мале снаге

Тхе недостаци БЈТ-а укључи следеће.

  • Утиче зрачењем
  • Ствара више буке
  • Има мању термичку стабилност
  • Основна контрола БЈТ је врло сложена
  • Учесталост пребацивања је ниска и висока сложена контрола
  • Време укључивања БЈТ је мало у поређењу са напоном и струјом са великом наизменичном фреквенцијом.

Предности и недостаци МОСФЕТ-а

Тхе предности МОСФЕТ-а укључи следеће.

  • Мање величине
  • Производња је једноставна
  • Улазна импеданса је велика у поређењу са ЈФЕТ-ом
  • Подржава рад велике брзине
  • Потрошња енергије је мала, тако да више компоненти може бити дозвољено за сваки чип изван подручја
  • МОСФЕТ са типом побољшања користи се у дигиталним колима
  • Нема мрежне диоде, тако да је могуће радити кроз позитиван, иначе негативан напон на капији
  • Широко се користи у поређењу са ЈФЕТ-ом
  • Отпор одвода МОСФЕТ-а је висок због ниског отпора канала

Тхе недостаци МОСФЕТ-а укључи следеће.

  • Мане МОСФЕТ-а укључују следеће.
  • Животни век МОСФЕТ-а је низак
  • За прецизно мерење дозе потребна је честа калибрација
  • Они су изузетно осетљиви на напон преоптерећења, па је због инсталације неопходно посебно руковање

Дакле, ово је све о разлици између БЈТ и МОСФЕТ-а која укључује шта су БЈТ и МОСФЕТ, принципи рада, врсте МОСФЕТ-а , и разлике. Надамо се да сте боље разумели овај концепт. Даље, било какве сумње у вези са овим концептом или електрични и електронски пројекти , дајте своје повратне информације коментаришући у одељку за коментаре испод. Ево питања за вас, које су БЈТ и МОСФЕТ карактеристике?